Intel sorprende con sus procesadores tridimensionales Tri-Gate

Intel acaba de anunciar un avance significativo en la estructura básica del transistor, que es el bloque microscópico con el que se construye la electrónica moderna.

Una revolución en microprocesadores.

Por primera vez desde su invención, hace más de 50 años, los transistores de silicio se construirán usando un revolucionario diseño en tres dimensiones, llamado Tri-Gate, revelado por primera vez por Intel en 2002, y se comenzarán a fabricar en grandes cantidades a finales de este año en el nodo de 22 nanómetros (nm) en un chip de Intel con nombre código Ivy Bridge. Un nanómetro es la milmillonésima parte de un metro.

Los transistores tridimensionales Tri-Gate representan un cambio fundamental con relación a la estructura plana de los transistores de dos dimensiones, que ha sido la tecnología usada no sólo en computadores, celulares y electrónica de consumo hasta la fecha, sino también en controles electrónicos de vehículos, naves espaciales, electrodomésticos, dispositivos médicos y, virtualmente, miles de otros dispositivos de uso común, por décadas.

"Nuestra invención de los transistores Tri-Gate y la rápida aplicación a nuestros chips de 22 nm son hechos que producirán cambios importantes en el escenario", dijo el presidente y CEO de Intel, Paul Otellini.

"Junto con las anteriores invenciones de Intel, la puerta de metal high-k y las invenciones de silicio endurecido, en 2007 y 2003, respectivamente, los nuevos transistores 3-D le ayudarán a Intel a reducir drásticamente el consumo de energía y los costos por transistor, al tiempo que mantienen el aumento del desempeño. Esto permitirá productos sobresalientes, que irán desde dispositivos de mano móviles muy pequeños a las supercomputadores más rápidas del mundo", añadió.

Cada vez menor

Los científicos reconocen desde hace mucho tiempo los beneficios de una estructura 3-D para darle continuidad a la Ley de Moore a medida que las dimensiones de los dispositivos se vuelven tan pequeñas que las leyes físicas se convierten en barreras al avance.

Otra de las características de estos nuevos transistores 3-D es que les permiten a los chips operar a un menor voltaje de salida con una menor pérdida, lo que proporciona una combinación sin precedentes de mejora del desempeño y eficacia energética, en comparación con la generación anterior de transistores de punta. Esto les da a los diseñadores de chips la flexibilidad de configurar los transistores para el bajo consumo energético o el alto desempeño, dependiendo de la aplicación.

Los transistores 3-D Tri-Gate de 22 nm ofrecen hasta un 37% de aumento del desempeño con bajo consumo energético, en comparación con los anteriores transistores planos de 32 nm de Intel. Por otra parte, los nuevos transistores consumen menos de la mitad de la energía para obtener el mismo desempeño que los transistores 2-D en los chips planos de 32 nm.

Más información: www.intel.com.