Samsung Electronics anunció el comienzo de la producción comercial de su primera memoria magnética incrustada de acceso aleatorio, eMRAM, basada en la tecnología de fabricación microelectrónica de silicio sobre aislante mermado de 28 nanómetros (28FD-SOI), denominada 28FDS por la compañía.

La solución eMRAM no requiere un ciclo de borrado previo a la escritura de datos, por lo que su velocidad es mil veces más rápida que la de la memoria flash. Además, usa menos voltajes y no consume carga eléctrica cuando está apagada.

Al combinar con 28FD-SOI para un mejor control del transistor y reducir al mínimo la fuga de corriente, la solución de la eMRAM de Samsung proveerá diferentes beneficios para una variedad de aplicaciones, entre las que se cuentan unidades de microcontroladores (MCU), internet de las cosas (IoT) y la inteligencia artificial (IA).

"Al integrar eMRAM con las tecnologías existentes, Samsung Foundry continúa la expansión de su portfolio de manufactura de soluciones eNMV, para proveer ventajas competitivas de calidad y excelencia en producibilidad, listas para salir al encuentro de las demandas tanto del mercado como de los usuarios", declaró Ryan Lee, vicepresidente del sector de marketing de manufacturas en Samsung Electronics.